行业主要上市公司：紫光国微(002049)、太极实业(600667)、通富微电(002156)、国芯科技(688262)、长电科技(600584)、华天科技(002185)、晶方科技(603005)、江波龙(301308)等. 本文核心数据：工艺分析;工艺应用;工艺特点 1、TSV技术是HBM实现芯片垂直堆叠的核心工艺. 高带宽存储器(High Bandwidth ...

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是通过先进封装工艺的方式提高存储芯片的带宽。 公司目前暂未涉及此类产品，公司将保持对新技术的持续关注 ...

苹果正在为2025年推出的20周年纪念版iPhone研发一项革命性技术——高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）。这项技术基于先进的3D堆叠封装工艺（3D TSV ...

快科技4月19日讯，2015年，AMD和SK海力士合作，全球首发了HBM（High Bandwidth Memory）显存，即高带宽存储，而且创新从2D进入2.5D堆叠。 相较当时的GDDR5 ...